IGBT, Москва

IGBT MODULES

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного биполярного транзистора (с низким уровнем потерь) и полевого транзистора, управление которым возможно под воздействием электрического поля.

Подобный механизм работы был разработан в начале 80-х годов. Однако первые чипы IGBT не получили широкого распространения из-за высокого входного сопротивления и низкого остаточного напряжения. Сегодня же компании ABB Semiconductors удалось разрешить технические трудности и наладить производство IGCT и IGBT ключей и драйверов для IGBT модулей.

Прохождения тока через прибор управляется источником напряжения (15 В), который отличается большим внутренним сопротивлением, и обеспечивает возможность изменения больших токов сигналом управления малой мощности.

В нашей компании вы можете приобрести ключи IGBT и IGBT, драйверы для IGBT модулей, а также другое высокотехнологичное оборудование производства компании ABB Semiconductors.

HiPak:
Модули HiPak^TM являются IGBT высокой мощности в стандартных корпусах с размерами основания 190x140 мм (HiPak2) и 140x130 мм (HiPak1). Модули выпускаются с монтажным основанием из композиционного материала AlSiC с целью обеспечения отличной термоциклической способности и субстратами из нитрида алюминия для обеспечения низкого теплового сопротивления.
Модули производятся в виде одиночных IGBT, двух IGBT в одном корпусе, двух диодов и IGBT с диодом в одном корпусе. Модули с напряжением изоляции 10,2 кВ имеют маркировку HV.
Модули HiPak^TM разработаны с использованием новой технологии чипов SPT (Soft Punch Through). Эта технология АBB сочетает низкие потери с мягкими характеристиками переключения и широкой областью безопасной работы.

Обозначение Напряжение V_CES (В)Ток I_C (A)Корпус Конфигурация Исполнение HiPak1

5SND 0800M170100

1700

2 x 800

HiPak1

(3) - Dual IGBT

M

5SNE 0800M170100

1700

800

HiPak1

(2) - Chopper

M

5SNA 1600N170100

1700

1600

HiPak1

(1) - Single IGBT

N

5SNA 0800N330100

3300

800

HiPak1

(1) - Single IGBT

N

HiPak1 HV 5SNA 0650J450300 4500 650 HiPak1 HV (1) - Single IGBT

J

5SLD 0650J450300 4500 2x650 HiPak1 HV (4) - Dual Diode

J

5SNA 0400J650100

6500

400

HiPak1 HV

(1) - Single IGBT

J

5SLD 0600J650100

6500

2 x 600

HiPak1 HV

(4) - Dual Diode

J

HiPak2

5SNA 1800E170100

1700

1800

HiPak2

(1) - Single IGBT

E

5SNA 2400E170100

1700

2400

HiPak2

(1) - Single IGBT

E

5SNA 1200E250100

2500

1200

HiPak2

(1) - Single IGBT

E

5SNA 1200E330100

3300

1200

HiPak2

(1) - Single IGBT

E

5SNA 1500E330100

3300

1500

HiPak2

(1) - Single IGBT

E

HiPak2 HV

5SNA 1200G330100

3300

1200

HiPak2 HV

(1) - Single IGBT

G

5SNA 1000G450300 4500 1000 HiPak2 HV (1) - Single IGBT

G

5SNA 0600G650100

6500

600

HiPak2 HV

(1) - Single IGBT

G