Установка роста объёмных монокристаллов карбида кремния., Санкт-Петербург

Совместная разработка ООО «Апекс» и группы российских специалистов.

Установка предназначена для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом диаметром до 100 мм и высотой до 25 мм. Время полного технологического цикла роста кристалла 72 часа.

Технические характеристики установки:

1. Потребляемая мощность, кВТ, не более 45


2. Номинальная температура в рабочем объёме теплового узла, ⁰ С, не более 2500


3. Предельное остаточное давление в холодном состоянии, Па, не более 2*10⁻³


4. Максимальная мощность в цепи нагревателя, кВт, не более 25


5. Точность стабилизации мощности в цепи нагревателя, %, не хуже 0,5


6. Максимальный расход инертного газа (Ar), л/ч, не более 261


7. Максимальный расход легирующего газа (N2, л/ч не более 0,36


8. Диапазон рабочих скоростей перемещения ростового тигля, мм/ч 0,1-25


9. Скорость вращения тигля, об/мин, 6


10. Расход охлаждающей воды при номинальной температуре электропечи, м³/ч 6


11. Номинальное напряжение питающей сети, В 380


12. Номинальная частота питающей сети, Гц 50


13. Число фаз питающей сети 3


14. Габаритные размеры установки 3690х1995х2457


15. Максимальная площадь размещения ( с зоной обслуживания), м³, не более 7 На установках возможно получение монокристаллов карбида кремния со следующими характеристиками:

Политип

4Н, 6Н

Политипная однородность

≤95%

Диаметр

50-100 мм

Высота в центре

18-25 мм

Поверхность

Без отклонений {0001}±0,5⁰

Отклонённая на 4,0⁰ в направлении ±0,5⁰

Отклонённая на 4,0⁰ в направлении ±0,5⁰

Тип проводимости

n

Легирующая примесь

Азот (N2)

Удельное сопротивление, диапазон

0,0001-0,01 Ом/м

Плотность микропор

≤5 микропор/см²