Транзисторы-СВЧ, Белгород

транзисторы средней мощности У23.365.007, малошумящие транзисторы АП-355 А…Д, ряд развязывающих и блокирующих конденсаторов

Транзисторы средней мощности У23.365.007

Бескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости полевые транзисторы среднего уровня мощности У23.365.007.01, У23.365.007.02, У23.365.007.03, предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах генерации, преобразования и усиления мощности сигналов в диапазоне частот 8… 12 ГГц.
1- контактная площадка стока; 2 — контактная площадка истока; 3- контактная площадка затвора. Материал контактных площадок — золото анодное Зл.999,9 толщиной 0,7 мкм. 4 — защитное покрытие активной бласти — лак АД – 9103. Монтаж транзистора осуществляется пайкой или приклеиванием (при обеспечении условий для отвода тепла) обратной стороны кристалла к основанию схемы и приваркой проволочных выводов к контактным площадкам соответствующих электродов. Температура пайки — не выше 300°С, время — не более 3 с. Приварка — методами термокомпрессионной или ультразвуковой сварки, температура столика — не выше 300°С. Соединительные проводники — из золотой проволоки диаметром 15…30 мкм. ПРЕДЕЛЬНОДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ В ДИАПАЗОНЕ РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР (минус 60… плюс 85) °С Постоянное напряжение сток-исток — 7,0 В; Постоянное напряжение затвор-исток — 3,5 В; Постоянная рассеиваемая мощность*: от минус 60 до плюс 50°С — 400 мВт; от плюс 50 до плюс 85°С — линейно уменьшается от 400 мВт при плюс 50°С до 250 мВт при плюс 85 °С; Непрерывная СВЧ мощность, подаваемая на вход транзистора — 100 мВт. с теплоотводом.

Малошумящие транзисторы АП-355 А…Д

Бескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости малошумящие полевые транзисторы АП-355 А…Д предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах усилительных и усилительно-преобразовательных устройств наземной и спутниковой связи, телевидения, радиоастрономической и радиометрической аппаратуры в частотном диапазоне 6… 10 ГГц.
1-контактная площадка стока
2-контактная площадка истока
3-контактная площадка затвора
4-защитное покрытие активной области — лак АД — 9103 Все размеры в мкм. Толщина чипа — 120±30. Материал контактных площадок — золото анодное Зл.999,9 толщиной 0,7 мкмМонтаж транзистора осуществляется пайкой или приклеиванием обратной стороны кристалла к основанию схемы и приваркой проволочных выводов к контактным площадкам соответствующих электродов. Температура пайки — не выше 300°С, время — не более 3 с. Приварка — методами термокомпрессионной или ультразвуковой сварки, температура столика -не выше 300°С. Соединительные проводники — из золотой проволоки диаметром 15…30 мкм.
ПРЕДЕЛЬНОДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ В ДИАПАЗОНЕ РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР (минус 60… плюс 85) °С
Постоянное напряжение сток-исток — 3,5 В;
Постоянное напряжение затвор-исток — 2,5 В;
Постоянная рассеиваемая мощность — 70 мВт.
Непрерывная СВЧ мощность, подаваемая на вход транзистора — 50 мВт.

Ряд развязывающих и блокирующих конденсаторов

Предназначены для использования в качестве навесных, блокировочных и развязывающих емкостных элементов для планарного монтажа в гибридно-интегральных схемах СВЧ.
Разработан унифицированный ряд миниатюрных монослойных без корпусных керамических емкостных элементов, обладающих высокой частотой последовательного резонанса при согласовании габаритных размеров с шириной полосковой линии.