Установка атомно-слоевого осаждения ZP-ALD, Москва

ZP-ALD - установка атомно-слоевого осаждения, предназначенная для мелкосерийного производства и проведения научных исследований. Рабочая камера с ручной загрузкой позволяет работать с пластинами до 300 мм. Благодаря своей универсальности и функциональности, установка пользуется большой популярность среди исследовательских центров для проведения новых разработок в области микроэлектроники, наноэлектроники, тонких оптических покрытий, солнечных элементов.

Осаждаемые материалы:

• оксиды (TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2 и т.д.)


• нитриды (TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN и т.д.)


• металлы (Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe)


• полупроводники A2B6, A3B5 и сложные оксиды (GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3, SrTaO6)

Особенности:

• Установка разработана для научных исследований и мелкосерийного производства


• Рабочая камера для одиночной обработки пластин размером до 300 мм


• Регулируемая температура подложки 25 - 500°C


• Подогреваемые линии подачи прекурсоров (в зависимости от конфигурации прекурсоров). Стандартно 3 линии


• Скорость осаждения Al2O3: 1,1 Å/цикл


• Система управления на основе PLC и сенсорного дисплея, с возможностью задания параметров технологического процесса


• Установка в условиях чистых помещений

-
Технические характеристики
Размер пластин
До 300 мм включительно
Температура подложки
От комнатной до 500⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Линии подачи прекурсоров
3 линии (опционально - большее число)
Температура линии подачи прекурсоров
От комнатной до 200⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Температура источника горячих прекурсоров
От комнатной до 200⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Специальные ALD клапаны
Swagelok ALD
Предельное давление
<5∙10-3 Торр
Газ-носитель
N2 или Ar
Режим осаждения
Последовательный или интервальный
Система управления
PLC и сенсорный экран/дисплей
Питание
50-60 Гц, 220 В / 20 A AC
Равномерность осаждения
< ± 1%
Габаритные размеры, мм
750x770x1050
Опции
Дополнительные линии подачи прекурсоров;
Расширенный диапазон температур для подогреваемых линий подачи прекурсоров;
Шлюзовая загрузка пластин;