Imec обеспечит будущее DRAM масштабирования
Бельгийская компания Imec, производящая научные и исследовательские разработки для всех крупных производителей DRAM, показала направление дальнейшего развития для масштабирования конденсаторов в DRAM памяти.
Специалисты Imec обнаружили, что эффективное туннелирование массы электрона в диэлектрической пленке металл-диэлектрик-металл (MIM) конденсатора DRAM является решающим параметром для дальнейшего масштабирования DRAM. Обнаруженное стало результатом исследований влияния эффективной туннельной массы на внутреннюю утечку тока в MIM структурах. Значения эффективных туннельных масс были рассчитаны для двух видов диэлектрической пленки: оксида титана (TiO) и титаната стронция (STO).
Постоянное уменьшение размера MIM конденсатора ячейки DRAM, одного из трех основных компонентов ячейки DRAM памяти, достигалось использованием диэлектрики с все возрастающей диэлектрической проницаемостью. Таким образом количество накопленного заряда на конденсаторе может быть выше, а токи утечки ниже указанного предела. Будущее вертикальных интегральных схем может столкнуться с еще одной проблемой, развитием конденсаторов с максимальным значением физической толщины, что вступает в прямой конфликт с поддержанием токов утечки.
Исследования Imec показали, что когда толщина изолятора ограничена, масштабирование DRAM может быть не ограничено возможностью достижения высокой диэлектрической проницаемости, при использовании диэлектрического материала с достаточно высокой эффективной туннельной массой.
Было установлено, что конечная утечка ограничивается внутренним прямым туннельным механизмом, который зависит от толщины слоя диэлектрика в барьере металл-диэлектрик и эффективной туннельной массы. В частности ученые исследовали влияние эффективной туннельной массы на внутренние утечки и определили, какие именно свойства диэлектрических материалов влияют на эффективную туннельную массу.
Расчет эффективных туннельных масс был произведен для двух диэлектрических пленок: TiO и СТО. Диэлектрические пленки обладали физической толщиной были около12nm и 9nm, и относительной диэлектрической проницаемостью около 80 и 90 для TiO и СТО, соответственно. Эффективная туннельная масса была получена за счет использования неидеальных свойств пленок, а именно способствующих утечке ловушек.
Исследования доказывают, что эффективная туннельная масса является критическим параметром для дальнейшего масштабирования MIM конденсаторов DRAM. Например, моделирование показало, что с ростом эффективной туннельной массы, тонкие пленки диэлектрика являются достаточными для достижения указанной утечки.
Еще новости от компании GALAXIS
Компании Samsung Electronics, Toshiba и Micron Technology недавно раскрыли свои планы по 3D NAND флэш-памяти. По прогнозам специалистов производство чипов NAND 3D будет находиться на ранних стадиях в течение 2014-2015 годов и выйдет на первые места по...
По информации исследователей DRAM рынка, поставки мобильной DRAM памяти выросли на 7% во втором квартале по сравнению с первым, поставки смартфонов также выросли на 7% и достикли 222 700 000 единиц. По уровню прибыли мобильная DRAM выросла на 11% во 2...
Samsung объявил во вторник о начале массового производство Вертикальной 3D NAND (V-NAND) флэш-памяти, которая обеспечивает большую долговечность и объем записи по сравнению с текущим NAND чипами флэш-памяти на основе плоских структур. Новая 3D...
Компания Micron Technology завершила приобретение Японской компании Elpida, что мгновенно делает его одним из крупнейших поставщиков мобильных чипов памяти для устройств, таких как IPAD, iPhone и Nexus 7. В среду 31 августа 2013 года попечители...
Компания SanDisk идет своим собственным путем разработки технологии 3D NAND - размещения слоев записи в флэш чипе друг над другом, для обеспечения большего объема при той же занимаемой площади. SanDisk в настоящее время работает над своим новым продуктом...
Компания Toshiba готовит запуск самых быстрых SD карт в мире, которые будут предлагать скорость записи до 240 МБ / с. По словам представителей японского производителя, новые карты памяти Exceria Pro будут направлены на опытных и профессиональных пользователей...
Цены на Твердотельные накопители (SSD) могут вырасти в течение следующих нескольких месяцев, основной причиной является действующая жесткая политика ограничения поставок NAND памяти, которая продолжит толкать цены вверх в третьем квартале. По оценкам...
Представители Nanya Technology сообщили, что доходы компании за последний месяц падают второй месяц подряд после сокращения поставок на 6,7 % с мая этого года, в то время как средняя цена реализации продукции компании выросла на 2,5 % в прошлом месяце...
Согласно опубликованным статистическим данным, цены на DRAM чипы на спотовом рынке за второй квартал этого года показали сдерживающие признаки на фоне снижения покупок в апреле, таким образом после последовательного скачка более чем на 60% в первом квартале...
По имеющейся информации японская компания Toshiba может расширить производственные мощности NAND флэш-памяти всего через год после того, как избыточные предложения и падение цен побудило ведущих производителя чипов Японии сократить производство на 30...