ИК-диапазон 680-950нм, Калуга

Излучающие структуры ИК диапазона 680-950нм

Компания «Мега Эпитех» производит широкий спектр излучающих структур ИК-диапазона, отвечающих конкретным требованиям заказчиков и отличающихся определенным набором свойств, таких как:

• тип конструкции структуры (HS, DH, DDH);




• количество и тип эпитаксиальных слоев;




• величина мощности излучения;




• длина волны излучения;




• параметры быстродействия.

Структуры представляют собой круглые пластины диаметром 37-40мм или 50мм и толщиной 150-450 мкм.

Основные типы производимых структур представлены ниже в таблице.

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро
люминесценции
λ_p,±10(±5)*[nm]

Мощность излучения
при 20мA
P₀ [мВт]

Прямое падение напряжения
при 20 мA
U_f [В]

Обратное падение напряжения
при 10 мкA
U_r [В] мин.

Время отклика
[нс]

min.
typ.
typ.

max.

Tr

Tf

HS950P
p-side up

GaAs/
n-GaAs

950

1.0
1.2
1.1
1.2
8
500

500

DH860N type 1
n-side up

AlGaAs/
p-GaAs

860

0.8
1.2
1.30
1.40
8
30

25

DH860N type 2
n-side up
AlGaAs/
p-GaAs

860

1.4
1.8
1.30
1.40
8
60

50

DDH910P
р-side up
AlGaAs/
n-AlGaAs

910

3.0
3.5

1.25

1.35

8

120

100

DDH870P
р-side up
AlGaAs/
n-AlGaAs

870

3.5
4.0
1.25
1.35
8
30

25

DDH870PS
р-side up
AlGaAs/
n-AlGaAs

870

2.8
3.4
1.25
1.35
8
10
10
DDH850P
р-side up
AlGaAs/
n-AlGaAs

850

3.5
4.0
1.30
1.40
8
30
25
DDH900N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

900

3.0
3.5
1.35
1.50
8
80
60
DDH870N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

870

3.5
4.3
1.35
1.50
8
40
30
DDH850N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

850

3.5
4.0
1.40
1.55
8
40
30
DDH810N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

810

3.8
4.5
1.45
1.65
8
40
30
DDH770N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

770

3.5
4.0
1.50
1.70
8
40
30
DDH740N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

740

3.5
4.0
1.60
1.70
8
40
30
DDH725N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

725

3.2
3.8
1.60
1.70
8
40
30
DDH700N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

700

3.5
4.0
1.70
1.75
8
50
35
DDH680N
n-side up
AlGaAs/
p-AlGaAs

680

3.5
4.0
1.70
1.75
8
50
35

*по требованию заказчика