Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500, Москва

Установки травления в индуктивно-связанной плазме -SI 500 -производства -SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Система травления - -SI 500 -PTSA ICP plasma etcher -производства -SENTECH Instruments GmbH -предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (Si), глубокое травлени кремния, (Bosсh -процесс или DRIE), MEMS, диэлектриков (SiO₂, -Si₃N₄) и полупроводниковых структур, особенно -III/V (таких как GaAs, GaN, InP и др.), металлов, микрооптики, наноструктур и фотошаблонов в индуктивно-связанной плазме. -

Установка травления -SI -500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов &ndash- от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями -SI -500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка -SI -500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР. -

Отличительной особенностью системы -SI -500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы -ICP-PTSA -200 -(плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, -электрод подложки -с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, -вакуумная система -позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и -магнито-пневматический загрузочный шлюз -для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. -Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Особенности

• Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
• Процесс: -ICP-RIE, RIE
• Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP)
• Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки -
• Вакуумный загрузочный шлюз
• Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении

• Высокая скорость травления

• Низкий уровень повреждений

• Высокое аспектное отношение

• Химия: фторна / хлорная
• Кластерная конфигурация
• Групповая обработка пластин
• Держатели для пластин меньшего размера
• Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
• до 16 газовых линий (фторная химия)
• Программное обеспечение SENTECH control software - -
• OES и лазерная интрферометрия
• Большое колличество опций

Запросить брошюру в PDF Модель установкиSI 500SI 500-300 MultiwaferДиаметр обрабатываемых пластиндо 200 мм (8 дюймов)до 300 мм (12 дюймов)Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP)PTSA 200 (planar triple spiral antenna)
Частота: 13,56 МГц
Мошность: 100-1200 Вт или 100-2500 ВтPTSA 400 (planar triple spiral antenna)
Частота: 13,56 МГц
Мощность: 100-1200 Вт или 100-2500 ВтВакуумный загрузочный шлюз (load-lock)наличие, оборудован сухим фор насосомналичие, оборудован сухим фор насосомРеактор -Цельная камера без сварных швов, материал камеры - -AlMgSi 0.5 -
Цельная камера без сварных швов, -материал камеры - -AlMgSi 0.5 -Электродэлектрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм
механический прижим пластины
температурный диапазон: -30...+250 ^оС
или -150...+400 -^оС с крио электродом
(другой температурный диапазон при наличии чиллера)
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложкиэлектрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 398 мм
механический прижим пластины
температурный диапазон: КТ...+80 -^оС -
(другой температурный диапазон при наличии чиллера)
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложкиВакуумная система -<- 10-6 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опция
<- 10-6 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опцияГазовые линиидо 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанамидо 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанамиRF генераторВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласованиеВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласованиеКонтрольSENTECH control softwareSENTECH control softwareОпции

- Более производительная вакуумная система
- Bosch процесс (DRIE)
- Турбина на магнитном подвесе
- Турбина для вакуумного шлюза
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- температурный сенсор для измерения температуры на обратной стороне подложки
- загрузка из кассеты в кассету (С to C)
- установка через стену

ion spectrosc- Более производительная вакуумная система
- Турбина на магнитном подвесе
- Турбина для вакуумного шлюза
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- температурный сенсор для измерения температуры на обратной стороне подложки
- загрузка из кассеты в кассету (С to C)
- установка через стенуopy